英文:Computing-in-Memory 分类:infra
将计算直接放在存储单元内部进行的技术,消除"计算-存储"间数据搬运的瓶颈(冯·诺依曼瓶颈),以极低功耗实现高并行矩阵运算。
实现:模拟存算(RRAM/Flash 阵列,电流累加)、数字存算(SRAM 单元内逻辑)、近存计算(HBM-PIM);优势:带宽巨大、能效高(10-100x);挑战:模拟精度、工艺成熟度、软件生态。
用于边缘 AI(低功耗推理)、端侧大模型、数据中心加速探索与科学计算;存算一体是"后摩尔时代"算力的重要路线。
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